含义：

1、igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，为绝缘栅双极型晶体管的意思。

2、绝缘栅双极型晶体管是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管，组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

3、封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

4、IGBT由栅极(G)、发射(E)和集电极(C)三个极控制。

作用：

1、IGBT是一种功率晶体管，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

2、IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极，阳极，和控制极。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路，接通的时候存在很小的电阻，通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。